近日，尚普咨询与某公司达成合作协议，尚普咨询承担某公司半导体公司商业尽职调查报告编制工作。

　　第三代半导体主要是由于制造材料的不同而有别于第一代和第二代半导体。国际上一般把禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)的半导体材料称之为第三代半导体材料，常见的第三代半导体材料包括：碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化锌、氮化铝等。其中，碳化硅和氮化镓技术发展相对成熟，已经开始产业化应用，而金刚石、氧化锌、氮化铝等材料尚处于研发起步阶段。

　　第三代半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，是5G、人工智能、工业互联网等多个“新基建”产业的重要材料，同时也是世界各国半导体研究领域的热点。其在国防、航空、航天、石油、是有勘探、光存储等领域有重要应用场景，在宽带通讯、太阳能、汽车制造、半导体照片、智能电网等众多战略行业，可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上。

　　第三代半导体材料主要可应用于光电、电力电子和微波射频三大领域。从当前来看，碳化硅(SiC)目前主要是用在650V以上的中高压功率器件领域，并偏向1000V以上的范围，具有高压、高温、高频三大优势，并且比硅基器件更轻、更小巧。氮化镓(GaN)主要是用在650V以下的中低压功率器件领域及微波射频和光电领域。不过，GaN器件未来也有机会进一步往600～900V发展。